im电竞app下载-镁光：3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量
发表时间：2023年02月07日浏览量：
本文摘要：电子工程网近日在加州圣克拉拉举办的存储器峰会（FlashMemorySummit）上，镁光发布了他们的首款3DNAND存储器芯片。这种存储器芯片在不转变尺寸的情况下能获取更好的储存空间。 据PCWorld报导，镁光这款3D存储器芯片的容量为32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS2.1标准，市面上的智能手机皆并未用于这种理论上更慢的储存协议。 镁光指出智能手机对内存容量的市场需求更加低，虚拟现实应用于和流媒体都将闲置大量的储存空间。
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电子工程网近日在加州圣克拉拉举办的存储器峰会（FlashMemorySummit）上，镁光发布了他们的首款3DNAND存储器芯片。这种存储器芯片在不转变尺寸的情况下能获取更好的储存空间。 据PCWorld报导，镁光这款3D存储器芯片的容量为32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS2.1标准，市面上的智能手机皆并未用于这种理论上更慢的储存协议。
镁光指出智能手机对内存容量的市场需求更加低，虚拟现实应用于和流媒体都将闲置大量的储存空间。他们回应，在几年之内智能手机的内存容量可能会超过如今PC的水平，具体来说，大约在2020年就不会看清1TB。不过，这家公司未透漏自家用作移动设备3D存储器芯片的发展路线图。
与传统的2DNAND水平化学键储存单元有所不同，3DNAND用于横向的方式化学键储存单元，这种方式既能享有更高的容量，又能让芯片间的通讯变快。 3DNAND存储器芯片技术并非镁光独特，英特尔和三星都早已在SSD上应用于了这种技术，涉及产品的容量只不会更加大。
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